Dataset statistics
Number of variables | 14 |
---|---|
Number of observations | 48 |
Missing cells | 0 |
Missing cells (%) | 0.0% |
Duplicate rows | 16 |
Duplicate rows (%) | 33.3% |
Total size in memory | 5.4 KiB |
Average record size in memory | 115.8 B |
Variable types
Categorical | 14 |
---|
Dataset
Description | 샘플 데이터 |
---|---|
Author | 환경부산하기관 |
URL | https://www.bigdata-environment.kr/user/data_market/detail.do?id=e5fb4170-38bb-11ea-be28-4fa0eb812a46 |
생성날짜 has constant value "" | Constant |
Dataset has 16 (33.3%) duplicate rows | Duplicates |
표면개질물질 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
물성 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
측정장비 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
제조방법 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
취급제품표면처리 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
물질(군)분류 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
주요기능 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
응집엉김 is highly overall correlated with 기타정보 and 11 other fields | High correlation |
모양/형태 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
표면개질방법 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
입자크기 is highly overall correlated with 응집엉김 and 11 other fields | High correlation |
기타정보 is highly overall correlated with 응집엉김 and 10 other fields | High correlation |
물질(그룹)분류 is highly overall correlated with 응집엉김 and 10 other fields | High correlation |
Reproduction
Analysis started | 2024-04-17 10:57:38.961899 |
---|---|
Analysis finished | 2024-04-17 10:57:40.010026 |
Duration | 1.05 second |
Software version | ydata-profiling vv4.5.1 |
Download configuration | config.json |
응집엉김
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 11 |
---|---|
Distinct (%) | 22.9% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
- | |
---|---|
수십nm~ 수백um | |
0 | |
10nm~3um 분포 | |
수십nm~수백um 분포 | |
Other values (6) |
Length
Max length | 13 |
---|---|
Median length | 12 |
Mean length | 6.5625 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 10nm~3um 분포 |
---|---|
2nd row | 수십nm~수백um 분포 |
3rd row | 수십nm~ 수백um |
4th row | 0 |
5th row | - |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
- | 12 | |
수십nm~ 수백um | 6 | |
0 | 6 | |
10nm~3um 분포 | 3 | 6.2% |
수십nm~수백um 분포 | 3 | 6.2% |
250nm~10um 분포 | 3 | 6.2% |
10 um | 3 | 6.2% |
250nm~10um | 3 | 6.2% |
수십nm~수십um 분포 | 3 | 6.2% |
500um | 3 | 6.2% |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
분포 | 15 | |
12 | ||
수십nm | 6 | 8.3% |
수백um | 6 | 8.3% |
0 | 6 | 8.3% |
250nm~10um | 6 | 8.3% |
10nm~3um | 3 | 4.2% |
수십nm~수백um | 3 | 4.2% |
10 | 3 | 4.2% |
um | 3 | 4.2% |
Other values (3) | 9 |
기타정보
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 4 |
---|---|
Distinct (%) | 8.3% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | |
---|---|
이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | |
0 | |
이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship |
Length
Max length | 100 |
---|---|
Median length | 70 |
Mean length | 68.3125 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 |
---|---|
2nd row | 0 |
3rd row | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship |
4th row | 0 |
5th row | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 21 | |
이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 15 | |
0 | 9 | |
이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 3 | 6.2% |
Length
Common Values (Plot)
Value | Count | Frequency (%) |
나노물질 | 57 | |
oecd | 57 | |
sponsorship | 57 | |
이 | 39 | |
물질군은 | 39 | |
programm의 | 39 | |
제조나노물질작업반(wpmn | 39 | |
관리 | 39 | |
대상 | 39 | |
물질군에 | 39 | |
Other values (4) | 66 |
주요기능
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 14 |
---|---|
Distinct (%) | 29.2% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
경량화, 전기적특성(금속성과 반도체성 모두 지님. 20~30nm 이상의 직경을 갖는 CNT에서는 벡터지수에 상관없이 금속성을 지님), 기계적특성(graphene sheet의 평면상 | |
---|---|
0 | |
반발 성능 향상, 경령화, 강도 향상, 전기특성의 부여 등, 활성산소 및 라디칼 제거 등 | |
- | |
물질 전달; 분산능력 | |
Other values (9) |
Length
Max length | 100 |
---|---|
Median length | 44 |
Mean length | 40.3125 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 반발 성능 향상, 경령화, 강도 향상, 전기특성의 부여 등, 활성산소 및 라디칼 제거 등 |
---|---|
2nd row | - |
3rd row | 경량화, 전기적특성(금속성과 반도체성 모두 지님. 20~30nm 이상의 직경을 갖는 CNT에서는 벡터지수에 상관없이 금속성을 지님), 기계적특성(graphene sheet의 평면상 |
4th row | 0 |
5th row | 물질 전달; 분산능력 |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
경량화, 전기적특성(금속성과 반도체성 모두 지님. 20~30nm 이상의 직경을 갖는 CNT에서는 벡터지수에 상관없이 금속성을 지님), 기계적특성(graphene sheet의 평면상 | 6 | |
0 | 6 | |
반발 성능 향상, 경령화, 강도 향상, 전기특성의 부여 등, 활성산소 및 라디칼 제거 등 | 3 | 6.2% |
- | 3 | 6.2% |
물질 전달; 분산능력 | 3 | 6.2% |
경도, 강도증가, 내열(한)성, 방화성부여, 분산성, 기체차단성 부여 등 | 3 | 6.2% |
높은 열전도성, 높은 절연성, 낮은 수분 흡수율, 기체 또는 이온 불순물의 낮은 침투성 | 3 | 6.2% |
강도 향상, 경량화, 금속성, 반도체성 부여, 촉매 | 3 | 6.2% |
전기 전도성(전기적, 광학적 응용), 전계방출특성, 발광성, 압전특성 | 3 | 6.2% |
높은 열전도성, 높은 절연성, 낮은 수분흡수율, 기체 또는 이온불순물의 낮은 침투성, 살균특성, 광촉매기능 | 3 | 6.2% |
Other values (4) | 12 |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
높은 | 12 | 3.1% |
낮은 | 12 | 3.1% |
등 | 12 | 3.1% |
지님 | 12 | 3.1% |
부여 | 9 | 2.3% |
경량화 | 9 | 2.3% |
향상 | 9 | 2.3% |
반도체성 | 9 | 2.3% |
강도 | 6 | 1.6% |
열전도성 | 6 | 1.6% |
Other values (77) | 288 |
측정장비
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 13 |
---|---|
Distinct (%) | 27.1% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
TEM, SEM, BET | |
---|---|
0 | |
TEM | |
TEM, SEM, ASD, DLS, 입도분석기, 질소흡착, BET, ASTM | |
- | |
Other values (8) |
Length
Max length | 42 |
---|---|
Median length | 30 |
Mean length | 17.0625 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | TEM |
---|---|
2nd row | TEM, SEM, ASD, DLS, 입도분석기, 질소흡착, BET, ASTM |
3rd row | TEM, SEM, BET |
4th row | 0 |
5th row | - |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
TEM, SEM, BET | 9 | |
0 | 6 | |
TEM | 3 | 6.2% |
TEM, SEM, ASD, DLS, 입도분석기, 질소흡착, BET, ASTM | 3 | 6.2% |
- | 3 | 6.2% |
XRD, SEM, TEM, AFM | 3 | 6.2% |
BET, SEM, CTAB, TEM, PSA, ELS | 3 | 6.2% |
TEM, SEM, DLS | 3 | 6.2% |
TEM, SEM, PSA, BJH | 3 | 6.2% |
AFM, SEM, TEM, XRD | 3 | 6.2% |
Other values (3) | 9 |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
tem | 39 | |
sem | 39 | |
bet | 21 | |
입도분석기 | 9 | 4.9% |
afm | 9 | 4.9% |
xrd | 9 | 4.9% |
dls | 9 | 4.9% |
0 | 6 | 3.3% |
psa | 6 | 3.3% |
질소흡착 | 3 | 1.6% |
Other values (11) | 33 |
제조방법
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 14 |
---|---|
Distinct (%) | 29.2% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
0 | |
---|---|
- | |
고온, 고압 합성, CVD, 아크법 | |
Gas Black Process, Furnace Black Process, sol-gel 후 탄화법, 중질유 열분해, 연소법, 연속열분해법 | |
화학기상증착(CVD), 아크방전법, 촉매기상합성법, 볼밀법, Sol-gel, HIPCO, CCVD, Acid treatment, 레이저증착법 | |
Other values (9) |
Length
Max length | 100 |
---|---|
Median length | 80.5 |
Mean length | 55.4375 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 고온, 고압 합성, CVD, 아크법 |
---|---|
2nd row | Gas Black Process, Furnace Black Process, sol-gel 후 탄화법, 중질유 열분해, 연소법, 연속열분해법 |
3rd row | 화학기상증착(CVD), 아크방전법, 촉매기상합성법, 볼밀법, Sol-gel, HIPCO, CCVD, Acid treatment, 레이저증착법 |
4th row | 0 |
5th row | - |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
0 | 6 | |
- | 6 | |
고온, 고압 합성, CVD, 아크법 | 3 | 6.2% |
Gas Black Process, Furnace Black Process, sol-gel 후 탄화법, 중질유 열분해, 연소법, 연속열분해법 | 3 | 6.2% |
화학기상증착(CVD), 아크방전법, 촉매기상합성법, 볼밀법, Sol-gel, HIPCO, CCVD, Acid treatment, 레이저증착법 | 3 | 6.2% |
침전(Precipitation), 침강(gel), (기체)연소,sol-gel 합성, Sputtering, Chemical Precipitation, 에어로졸공정, 공침법/stobe | 3 | 6.2% |
스퍼터링, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 공침법/sol-gel/stober, 화학기상증착(CVD), ball-milling, 초음파 | 3 | 6.2% |
습식법, 저온소성법, 수열합성, 분자선 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저 증착법(PLD: Pulsed Laser Deposition), so | 3 | 6.2% |
anodization, 저온균일침전법, 수열합성법, Molten salt법, sol-gel 합성, Sputtering, Plasma Enhanced Chemical Vapor De | 3 | 6.2% |
sol-gel 법, two-phase method, Solution Synthesis, Evaporation, 전구체 환원, 액상반응 | 3 | 6.2% |
Other values (4) | 12 |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
sol-gel | 18 | 5.1% |
chemical | 12 | 3.4% |
합성 | 12 | 3.4% |
화학기상증착(cvd | 9 | 2.6% |
sputtering | 9 | 2.6% |
ccvd | 6 | 1.7% |
아크방전법 | 6 | 1.7% |
촉매기상합성법 | 6 | 1.7% |
볼밀법 | 6 | 1.7% |
hipco | 6 | 1.7% |
Other values (75) | 261 |
물질(그룹)분류
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 4 |
---|---|
Distinct (%) | 8.3% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
금속 및 무기 산화물 | |
---|---|
탄소계 | |
고분자 | |
기타 |
Length
Max length | 11 |
---|---|
Median length | 7 |
Mean length | 6.9375 |
Min length | 2 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 탄소계 |
---|---|
2nd row | 탄소계 |
3rd row | 탄소계 |
4th row | 기타 |
5th row | 고분자 |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
금속 및 무기 산화물 | 24 | |
탄소계 | 12 | |
고분자 | 9 | 18.8% |
기타 | 3 | 6.2% |
Length
Common Values (Plot)
Value | Count | Frequency (%) |
금속 | 24 | |
및 | 24 | |
무기 | 24 | |
산화물 | 24 | |
탄소계 | 12 | |
고분자 | 9 | 7.5% |
기타 | 3 | 2.5% |
물질(군)분류
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 16 |
---|---|
Distinct (%) | 33.3% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
Fullerenes(C60) | 3 |
---|---|
Carbon black | 3 |
MWCNTs | 3 |
Etc. | 3 |
Dendrimers | 3 |
Other values (11) |
Length
Max length | 15 |
---|---|
Median length | 12 |
Mean length | 6.6875 |
Min length | 3 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | Fullerenes(C60) |
---|---|
2nd row | Carbon black |
3rd row | MWCNTs |
4th row | Etc. |
5th row | Dendrimers |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
Fullerenes(C60) | 3 | 6.2% |
Carbon black | 3 | 6.2% |
MWCNTs | 3 | 6.2% |
Etc. | 3 | 6.2% |
Dendrimers | 3 | 6.2% |
Polystyrene | 3 | 6.2% |
Nanoclays | 3 | 6.2% |
SiO₂ | 3 | 6.2% |
Iron | 3 | 6.2% |
ZnO | 3 | 6.2% |
Other values (6) | 18 |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
fullerenes(c60 | 3 | 5.9% |
iron | 3 | 5.9% |
al₂o₃ | 3 | 5.9% |
silver | 3 | 5.9% |
ceo₂ | 3 | 5.9% |
gold | 3 | 5.9% |
tio₂ | 3 | 5.9% |
zno | 3 | 5.9% |
sio₂ | 3 | 5.9% |
carbon | 3 | 5.9% |
Other values (7) | 21 |
물성
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 13 |
---|---|
Distinct (%) | 27.1% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
흑연판이 말리는 각도에 따라 금속성과 반도체성을 가짐, 전기전도도와 열전도율이 높음 | |
---|---|
0 | |
약한 agglomerates 형성으로 마이크론 크기 형성 | |
특수한 분자성 결정으로서 1차 응집을 형성하고, 1차 응집체가 추가로 응집하여 2차원 또는 3차원 응집체(엉김체)를 형성 | |
- | |
Other values (8) |
Length
Max length | 69 |
---|---|
Median length | 45.5 |
Mean length | 31.1875 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 특수한 분자성 결정으로서 1차 응집을 형성하고, 1차 응집체가 추가로 응집하여 2차원 또는 3차원 응집체(엉김체)를 형성 |
---|---|
2nd row | - |
3rd row | 흑연판이 말리는 각도에 따라 금속성과 반도체성을 가짐, 전기전도도와 열전도율이 높음 |
4th row | 0 |
5th row | 중심주위에 나뭇가지형이 덴드론이 둘러싼 구형 고분자, 일정분자량을 가지고 있음 |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
흑연판이 말리는 각도에 따라 금속성과 반도체성을 가짐, 전기전도도와 열전도율이 높음 | 6 | |
0 | 6 | |
약한 agglomerates 형성으로 마이크론 크기 형성 | 6 | |
특수한 분자성 결정으로서 1차 응집을 형성하고, 1차 응집체가 추가로 응집하여 2차원 또는 3차원 응집체(엉김체)를 형성 | 3 | 6.2% |
- | 3 | 6.2% |
중심주위에 나뭇가지형이 덴드론이 둘러싼 구형 고분자, 일정분자량을 가지고 있음 | 3 | 6.2% |
층상구조 | 3 | 6.2% |
단결정상을 갖고 있어 균일도의 수준의 높음, 화염반응에 의해 제조된 제품은 친수성 | 3 | 6.2% |
6방정계 부르자이트 결정, 높은전도성, 자외선영역 발광특성 | 3 | 6.2% |
anatase, rutile, brookite 의 3가지 결정구조를 가짐광촉매는 빛에너지에 의해 강력한 산화 및 환원 작용함 | 3 | 6.2% |
Other values (3) | 9 |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
형성 | 12 | 3.7% |
약한 | 9 | 2.8% |
agglomerates | 9 | 2.8% |
높음 | 9 | 2.8% |
말리는 | 6 | 1.8% |
1차 | 6 | 1.8% |
의해 | 6 | 1.8% |
크기 | 6 | 1.8% |
마이크론 | 6 | 1.8% |
형성으로 | 6 | 1.8% |
Other values (75) | 252 |
입자크기
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 15 |
---|---|
Distinct (%) | 31.2% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
0 | |
---|---|
제품제조시 평균입경 : 수백 nm~수㎛1~10nm | 3 |
카본블랙:수nm~수백nm | 3 |
MWCNT : 7~60nm직경 : 5∼100nm | 3 |
대표입자크기 : 1∼100nm (PAMAM 덴드리머의 경우 1세대당 1nm 씩 증가한다.)나노점토: 1~200nm(2~13um) | 3 |
Other values (10) |
Length
Max length | 71 |
---|---|
Median length | 31 |
Mean length | 28.5 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 제품제조시 평균입경 : 수백 nm~수㎛1~10nm |
---|---|
2nd row | 카본블랙:수nm~수백nm |
3rd row | MWCNT : 7~60nm직경 : 5∼100nm |
4th row | 0 |
5th row | 대표입자크기 : 1∼100nm (PAMAM 덴드리머의 경우 1세대당 1nm 씩 증가한다.)나노점토: 1~200nm(2~13um) |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
0 | 6 | 12.5% |
제품제조시 평균입경 : 수백 nm~수㎛1~10nm | 3 | 6.2% |
카본블랙:수nm~수백nm | 3 | 6.2% |
MWCNT : 7~60nm직경 : 5∼100nm | 3 | 6.2% |
대표입자크기 : 1∼100nm (PAMAM 덴드리머의 경우 1세대당 1nm 씩 증가한다.)나노점토: 1~200nm(2~13um) | 3 | 6.2% |
대표입자크기 : 10∼80nm나노점토 : 1~200nm(1~13um) | 3 | 6.2% |
수nm~수백nm 까지 다양하게 분포(직경 : 1~100nm 까지 다양하게 분포) | 3 | 6.2% |
대표입자크기 10∼100nm2nm~200nm | 3 | 6.2% |
5nm~수백nm 까지 다양하게 분포(직경 : 50nm 이상) | 3 | 6.2% |
대표입자크기 : < 20nm,수nm~수백nm | 3 | 6.2% |
Other values (5) | 15 |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
48 | ||
대표입자크기 | 21 | 9.2% |
까지 | 15 | 6.6% |
다양하게 | 15 | 6.6% |
분포(직경 | 9 | 3.9% |
1~100nm | 6 | 2.6% |
분포 | 6 | 2.6% |
0 | 6 | 2.6% |
2∼11nm산화세슘 | 3 | 1.3% |
1~150nm | 3 | 1.3% |
Other values (32) | 96 |
모양/형태
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 13 |
---|---|
Distinct (%) | 27.1% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
구형/튜브 | |
---|---|
0 | |
구형/입자 | |
구형 | |
구형/입자, 다각형/입자 | |
Other values (8) |
Length
Max length | 25 |
---|---|
Median length | 18 |
Mean length | 10.125 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 구형 |
---|---|
2nd row | 구형/입자, 다각형/입자 |
3rd row | 구형/튜브 |
4th row | 0 |
5th row | - |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
구형/튜브 | 6 | |
0 | 6 | |
구형/입자 | 6 | |
구형 | 3 | 6.2% |
구형/입자, 다각형/입자 | 3 | 6.2% |
- | 3 | 6.2% |
다면체, 막대형/판, 육각형/판상, 원형/입자 | 3 | 6.2% |
구형/입자, 다면체/입자 | 3 | 6.2% |
구형/입자 , 선형/파이버 | 3 | 6.2% |
다면체, 구형/입자, 선형/파이버 | 3 | 6.2% |
Other values (3) | 9 |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
구형/입자 | 27 | |
구형/튜브 | 6 | 6.5% |
선형/파이버 | 6 | 6.5% |
6 | 6.5% | |
다면체 | 6 | 6.5% |
0 | 6 | 6.5% |
다면체/입자 | 6 | 6.5% |
판 | 3 | 3.2% |
정육각형/입자 | 3 | 3.2% |
막대형/입자 | 3 | 3.2% |
Other values (7) | 21 |
취급제품표면처리
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 8 |
---|---|
Distinct (%) | 16.7% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
- | |
---|---|
계면활성제, 황산, 질산 등 | |
0 | |
최외각에 다양한 기능기 변경 가능 | |
계면활성제, 스테아린산, KOH, NH4F | |
Other values (3) |
Length
Max length | 24 |
---|---|
Median length | 22 |
Mean length | 7.625 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | - |
---|---|
2nd row | - |
3rd row | 계면활성제, 황산, 질산 등 |
4th row | 0 |
5th row | 최외각에 다양한 기능기 변경 가능 |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
- | 18 | |
계면활성제, 황산, 질산 등 | 9 | |
0 | 6 | 12.5% |
최외각에 다양한 기능기 변경 가능 | 3 | 6.2% |
계면활성제, 스테아린산, KOH, NH4F | 3 | 6.2% |
계면활성제 | 3 | 6.2% |
Thiol, Silane, 지방산 등 | 3 | 6.2% |
없음 | 3 | 6.2% |
Length
Common Values (Plot)
Value | Count | Frequency (%) |
18 | ||
계면활성제 | 15 | |
등 | 12 | |
황산 | 9 | 8.6% |
질산 | 9 | 8.6% |
0 | 6 | 5.7% |
koh | 3 | 2.9% |
지방산 | 3 | 2.9% |
silane | 3 | 2.9% |
thiol | 3 | 2.9% |
Other values (8) | 24 |
표면개질방법
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 10 |
---|---|
Distinct (%) | 20.8% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
- | |
---|---|
초음파처리, 액상반응공정 | |
0 | |
코어쉘코팅 | |
sol-gel법, 화학적 결합, 축합방법, Silation, silane coupling reaction | |
Other values (5) |
Length
Max length | 58 |
---|---|
Median length | 47 |
Mean length | 13.75 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | - |
---|---|
2nd row | - |
3rd row | 초음파처리, 액상반응공정 |
4th row | 0 |
5th row | - |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
- | 15 | |
초음파처리, 액상반응공정 | 6 | 12.5% |
0 | 6 | 12.5% |
코어쉘코팅 | 3 | 6.2% |
sol-gel법, 화학적 결합, 축합방법, Silation, silane coupling reaction | 3 | 6.2% |
coating , 스퍼터링 , 화학흡착 | 3 | 6.2% |
Lipid 첨가, 표면 capping | 3 | 6.2% |
Sucrose 첨가, 암모니아수 첨가, 암모니아첨가후 AgNO3첨가, Lipid 첨가 | 3 | 6.2% |
합성/흡착, sol-gel | 3 | 6.2% |
표면 capping, mixing, 합성 | 3 | 6.2% |
Length
Common Values (Plot)
Value | Count | Frequency (%) |
21 | 16.3% | |
첨가 | 12 | 9.3% |
lipid | 6 | 4.7% |
액상반응공정 | 6 | 4.7% |
0 | 6 | 4.7% |
capping | 6 | 4.7% |
표면 | 6 | 4.7% |
초음파처리 | 6 | 4.7% |
mixing | 3 | 2.3% |
sol-gel | 3 | 2.3% |
Other values (18) | 54 |
표면개질물질
Categorical
HIGH CORRELATION
 
Distinct | 12 |
---|---|
Distinct (%) | 25.0% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
- | |
---|---|
황산, 고분자 등 | |
0 | |
oxidized Gas Black | |
NA+, 에폭시 실란 | |
Other values (7) |
Length
Max length | 100 |
---|---|
Median length | 60 |
Mean length | 28.125 |
Min length | 1 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | - |
---|---|
2nd row | oxidized Gas Black |
3rd row | 황산, 고분자 등 |
4th row | 0 |
5th row | - |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
- | 9 | |
황산, 고분자 등 | 6 | |
0 | 6 | |
oxidized Gas Black | 3 | 6.2% |
NA+, 에폭시 실란 | 3 | 6.2% |
Al2O3, polydimethylsiloxane, HMDS, Dimethyldichlorosilane, silicon oil, octylsilane, acrylate, Methy | 3 | 6.2% |
Biotin ; silica ; Pt, Ta Pd ; 계면활성제 | 3 | 6.2% |
실란, Hydrogen dimethicone, Triethoxy caprylylsilane, Lipid alkyl acid | 3 | 6.2% |
Aluminium hydroxide, Stearic Acid, Isobutyltrimethoxysilane, Carbon, Nitrogen, Ag, Lipid | 3 | 6.2% |
Anti-Human IgG, Citrate, Citosan, CTAB, CTAC, 실리카, 은 | 3 | 6.2% |
Other values (2) | 6 |
Length
Value | Count | Frequency (%) |
18 | 8.8% | |
acid | 9 | 4.4% |
고분자 | 6 | 2.9% |
등 | 6 | 2.9% |
0 | 6 | 2.9% |
황산 | 6 | 2.9% |
계면활성제 | 6 | 2.9% |
citrate | 6 | 2.9% |
lipid | 6 | 2.9% |
실란 | 6 | 2.9% |
Other values (43) | 129 |
생성날짜
Categorical
CONSTANT
 
Distinct | 1 |
---|---|
Distinct (%) | 2.1% |
Missing | 0 |
Missing (%) | 0.0% |
Memory size | 516.0 B |
20191217 |
---|
Length
Max length | 8 |
---|---|
Median length | 8 |
Mean length | 8 |
Min length | 8 |
Unique
Unique | 0 ? |
---|---|
Unique (%) | 0.0% |
Sample
1st row | 20191217 |
---|---|
2nd row | 20191217 |
3rd row | 20191217 |
4th row | 20191217 |
5th row | 20191217 |
Common Values
Value | Count | Frequency (%) |
20191217 | 48 |
Length
Common Values (Plot)
Value | Count | Frequency (%) |
20191217 | 48 |
응집엉김 | 기타정보 | 주요기능 | 측정장비 | 제조방법 | 물질(그룹)분류 | 물질(군)분류 | 물성 | 입자크기 | 모양/형태 | 취급제품표면처리 | 표면개질방법 | 표면개질물질 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
응집엉김 | 1.000 | 0.942 | 1.000 | 0.984 | 1.000 | 0.860 | 1.000 | 0.990 | 1.000 | 0.984 | 0.962 | 0.969 | 0.979 |
기타정보 | 0.942 | 1.000 | 0.991 | 0.974 | 0.991 | 0.668 | 1.000 | 0.979 | 1.000 | 0.920 | 0.974 | 0.925 | 0.996 |
주요기능 | 1.000 | 0.991 | 1.000 | 1.000 | 0.999 | 0.937 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 |
측정장비 | 0.984 | 0.974 | 1.000 | 1.000 | 0.991 | 0.895 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 0.999 | 0.973 | 0.981 | 0.989 |
제조방법 | 1.000 | 0.991 | 0.999 | 0.991 | 1.000 | 0.937 | 1.000 | 0.991 | 1.000 | 0.991 | 0.984 | 0.990 | 0.992 |
물질(그룹)분류 | 0.860 | 0.668 | 0.937 | 0.895 | 0.937 | 1.000 | 1.000 | 0.929 | 0.931 | 0.929 | 0.885 | 0.824 | 0.948 |
물질(군)분류 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 |
물성 | 0.990 | 0.979 | 1.000 | 1.000 | 0.991 | 0.929 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 0.999 | 0.979 | 0.988 | 0.989 |
입자크기 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 0.931 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 | 1.000 |
모양/형태 | 0.984 | 0.920 | 1.000 | 0.999 | 0.991 | 0.929 | 1.000 | 0.999 | 1.000 | 1.000 | 0.981 | 0.988 | 0.992 |
취급제품표면처리 | 0.962 | 0.974 | 1.000 | 0.973 | 0.984 | 0.885 | 1.000 | 0.979 | 1.000 | 0.981 | 1.000 | 0.962 | 0.994 |
표면개질방법 | 0.969 | 0.925 | 1.000 | 0.981 | 0.990 | 0.824 | 1.000 | 0.988 | 1.000 | 0.988 | 0.962 | 1.000 | 1.000 |
표면개질물질 | 0.979 | 0.996 | 1.000 | 0.989 | 0.992 | 0.948 | 1.000 | 0.989 | 1.000 | 0.992 | 0.994 | 1.000 | 1.000 |
표면개질물질 | 물성 | 측정장비 | 제조방법 | 취급제품표면처리 | 물질(군)분류 | 기타정보 | 주요기능 | 응집엉김 | 모양/형태 | 표면개질방법 | 입자크기 | 물질(그룹)분류 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
표면개질물질 | 1.000 | 0.924 | 0.924 | 0.930 | 0.877 | 0.943 | 0.822 | 0.972 | 0.885 | 0.945 | 0.973 | 0.957 | 0.642 |
물성 | 0.924 | 1.000 | 0.962 | 0.927 | 0.874 | 0.956 | 0.857 | 0.986 | 0.931 | 0.942 | 0.916 | 0.971 | 0.747 |
측정장비 | 0.924 | 0.962 | 1.000 | 0.927 | 0.852 | 0.956 | 0.845 | 0.986 | 0.905 | 0.942 | 0.885 | 0.971 | 0.685 |
제조방법 | 0.930 | 0.927 | 0.927 | 1.000 | 0.867 | 0.970 | 0.844 | 0.945 | 0.959 | 0.927 | 0.901 | 0.985 | 0.732 |
취급제품표면처리 | 0.877 | 0.874 | 0.852 | 0.867 | 1.000 | 0.894 | 0.747 | 0.922 | 0.854 | 0.882 | 0.859 | 0.908 | 0.546 |
물질(군)분류 | 0.943 | 0.956 | 0.956 | 0.970 | 0.894 | 1.000 | 0.853 | 0.970 | 0.930 | 0.956 | 0.918 | 0.985 | 0.853 |
기타정보 | 0.822 | 0.857 | 0.845 | 0.844 | 0.747 | 0.853 | 1.000 | 0.844 | 0.811 | 0.729 | 0.768 | 0.866 | 0.315 |
주요기능 | 0.972 | 0.986 | 0.986 | 0.945 | 0.922 | 0.970 | 0.844 | 1.000 | 0.959 | 0.986 | 0.946 | 0.985 | 0.732 |
응집엉김 | 0.885 | 0.931 | 0.905 | 0.959 | 0.854 | 0.930 | 0.811 | 0.959 | 1.000 | 0.905 | 0.860 | 0.944 | 0.664 |
모양/형태 | 0.945 | 0.942 | 0.942 | 0.927 | 0.882 | 0.956 | 0.729 | 0.986 | 0.905 | 1.000 | 0.916 | 0.971 | 0.747 |
표면개질방법 | 0.973 | 0.916 | 0.885 | 0.901 | 0.859 | 0.918 | 0.768 | 0.946 | 0.860 | 0.916 | 1.000 | 0.932 | 0.609 |
입자크기 | 0.957 | 0.971 | 0.971 | 0.985 | 0.908 | 0.985 | 0.866 | 0.985 | 0.944 | 0.971 | 0.932 | 1.000 | 0.716 |
물질(그룹)분류 | 0.642 | 0.747 | 0.685 | 0.732 | 0.546 | 0.853 | 0.315 | 0.732 | 0.664 | 0.747 | 0.609 | 0.716 | 1.000 |
응집엉김 | 기타정보 | 주요기능 | 측정장비 | 제조방법 | 물질(그룹)분류 | 물질(군)분류 | 물성 | 입자크기 | 모양/형태 | 취급제품표면처리 | 표면개질방법 | 표면개질물질 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
응집엉김 | 1.000 | 0.811 | 0.959 | 0.905 | 0.959 | 0.664 | 0.930 | 0.931 | 0.944 | 0.905 | 0.854 | 0.860 | 0.885 |
기타정보 | 0.811 | 1.000 | 0.844 | 0.845 | 0.844 | 0.315 | 0.853 | 0.857 | 0.866 | 0.729 | 0.747 | 0.768 | 0.822 |
주요기능 | 0.959 | 0.844 | 1.000 | 0.986 | 0.945 | 0.732 | 0.970 | 0.986 | 0.985 | 0.986 | 0.922 | 0.946 | 0.972 |
측정장비 | 0.905 | 0.845 | 0.986 | 1.000 | 0.927 | 0.685 | 0.956 | 0.962 | 0.971 | 0.942 | 0.852 | 0.885 | 0.924 |
제조방법 | 0.959 | 0.844 | 0.945 | 0.927 | 1.000 | 0.732 | 0.970 | 0.927 | 0.985 | 0.927 | 0.867 | 0.901 | 0.930 |
물질(그룹)분류 | 0.664 | 0.315 | 0.732 | 0.685 | 0.732 | 1.000 | 0.853 | 0.747 | 0.716 | 0.747 | 0.546 | 0.609 | 0.642 |
물질(군)분류 | 0.930 | 0.853 | 0.970 | 0.956 | 0.970 | 0.853 | 1.000 | 0.956 | 0.985 | 0.956 | 0.894 | 0.918 | 0.943 |
물성 | 0.931 | 0.857 | 0.986 | 0.962 | 0.927 | 0.747 | 0.956 | 1.000 | 0.971 | 0.942 | 0.874 | 0.916 | 0.924 |
입자크기 | 0.944 | 0.866 | 0.985 | 0.971 | 0.985 | 0.716 | 0.985 | 0.971 | 1.000 | 0.971 | 0.908 | 0.932 | 0.957 |
모양/형태 | 0.905 | 0.729 | 0.986 | 0.942 | 0.927 | 0.747 | 0.956 | 0.942 | 0.971 | 1.000 | 0.882 | 0.916 | 0.945 |
취급제품표면처리 | 0.854 | 0.747 | 0.922 | 0.852 | 0.867 | 0.546 | 0.894 | 0.874 | 0.908 | 0.882 | 1.000 | 0.859 | 0.877 |
표면개질방법 | 0.860 | 0.768 | 0.946 | 0.885 | 0.901 | 0.609 | 0.918 | 0.916 | 0.932 | 0.916 | 0.859 | 1.000 | 0.973 |
표면개질물질 | 0.885 | 0.822 | 0.972 | 0.924 | 0.930 | 0.642 | 0.943 | 0.924 | 0.957 | 0.945 | 0.877 | 0.973 | 1.000 |
응집엉김 | 기타정보 | 주요기능 | 측정장비 | 제조방법 | 물질(그룹)분류 | 물질(군)분류 | 물성 | 입자크기 | 모양/형태 | 취급제품표면처리 | 표면개질방법 | 표면개질물질 | 생성날짜 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0 | 10nm~3um 분포 | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 반발 성능 향상, 경령화, 강도 향상, 전기특성의 부여 등, 활성산소 및 라디칼 제거 등 | TEM | 고온, 고압 합성, CVD, 아크법 | 탄소계 | Fullerenes(C60) | 특수한 분자성 결정으로서 1차 응집을 형성하고, 1차 응집체가 추가로 응집하여 2차원 또는 3차원 응집체(엉김체)를 형성 | 제품제조시 평균입경 : 수백 nm~수㎛1~10nm | 구형 | - | - | - | 20191217 |
1 | 수십nm~수백um 분포 | 0 | - | TEM, SEM, ASD, DLS, 입도분석기, 질소흡착, BET, ASTM | Gas Black Process, Furnace Black Process, sol-gel 후 탄화법, 중질유 열분해, 연소법, 연속열분해법 | 탄소계 | Carbon black | - | 카본블랙:수nm~수백nm | 구형/입자, 다각형/입자 | - | - | oxidized Gas Black | 20191217 |
2 | 수십nm~ 수백um | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 경량화, 전기적특성(금속성과 반도체성 모두 지님. 20~30nm 이상의 직경을 갖는 CNT에서는 벡터지수에 상관없이 금속성을 지님), 기계적특성(graphene sheet의 평면상 | TEM, SEM, BET | 화학기상증착(CVD), 아크방전법, 촉매기상합성법, 볼밀법, Sol-gel, HIPCO, CCVD, Acid treatment, 레이저증착법 | 탄소계 | MWCNTs | 흑연판이 말리는 각도에 따라 금속성과 반도체성을 가짐, 전기전도도와 열전도율이 높음 | MWCNT : 7~60nm직경 : 5∼100nm | 구형/튜브 | 계면활성제, 황산, 질산 등 | 초음파처리, 액상반응공정 | 황산, 고분자 등 | 20191217 |
3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 기타 | Etc. | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20191217 |
4 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 물질 전달; 분산능력 | - | - | 고분자 | Dendrimers | 중심주위에 나뭇가지형이 덴드론이 둘러싼 구형 고분자, 일정분자량을 가지고 있음 | 대표입자크기 : 1∼100nm (PAMAM 덴드리머의 경우 1세대당 1nm 씩 증가한다.)나노점토: 1~200nm(2~13um) | - | 최외각에 다양한 기능기 변경 가능 | - | - | 20191217 |
5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 고분자 | Polystyrene | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20191217 |
6 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 경도, 강도증가, 내열(한)성, 방화성부여, 분산성, 기체차단성 부여 등 | XRD, SEM, TEM, AFM | - | 고분자 | Nanoclays | 층상구조 | 대표입자크기 : 10∼80nm나노점토 : 1~200nm(1~13um) | 다면체, 막대형/판, 육각형/판상, 원형/입자 | - | 코어쉘코팅 | NA+, 에폭시 실란 | 20191217 |
7 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 물질 전달; 분산능력 | - | - | 고분자 | Dendrimers | 중심주위에 나뭇가지형이 덴드론이 둘러싼 구형 고분자, 일정분자량을 가지고 있음 | 대표입자크기 : 1∼100nm (PAMAM 덴드리머의 경우 1세대당 1nm 씩 증가한다.)나노점토: 1~200nm(2~13um) | - | 최외각에 다양한 기능기 변경 가능 | - | - | 20191217 |
8 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 고분자 | Polystyrene | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20191217 |
9 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 경도, 강도증가, 내열(한)성, 방화성부여, 분산성, 기체차단성 부여 등 | XRD, SEM, TEM, AFM | - | 고분자 | Nanoclays | 층상구조 | 대표입자크기 : 10∼80nm나노점토 : 1~200nm(1~13um) | 다면체, 막대형/판, 육각형/판상, 원형/입자 | - | 코어쉘코팅 | NA+, 에폭시 실란 | 20191217 |
응집엉김 | 기타정보 | 주요기능 | 측정장비 | 제조방법 | 물질(그룹)분류 | 물질(군)분류 | 물성 | 입자크기 | 모양/형태 | 취급제품표면처리 | 표면개질방법 | 표면개질물질 | 생성날짜 | |
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38 | 수십nm~수십um 분포 | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 높은 열전도성, 높은 절연성, 낮은 수분흡수율, 기체 또는 이온불순물의 낮은 침투성, 살균특성, 광촉매기능 | TEM, SEM, PSA, BJH | anodization, 저온균일침전법, 수열합성법, Molten salt법, sol-gel 합성, Sputtering, Plasma Enhanced Chemical Vapor De | 금속 및 무기 산화물 | TiO₂ | anatase, rutile, brookite 의 3가지 결정구조를 가짐광촉매는 빛에너지에 의해 강력한 산화 및 환원 작용함 | 대표입자크기 : < 20nm,수nm~수백nm | 구형/입자, 다면체/입자, 막대/파이버 | - | Sucrose 첨가, 암모니아수 첨가, 암모니아첨가후 AgNO3첨가, Lipid 첨가 | Aluminium hydroxide, Stearic Acid, Isobutyltrimethoxysilane, Carbon, Nitrogen, Ag, Lipid | 20191217 |
39 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 안정성, 항균성 등 | AFM, SEM, TEM, XRD | sol-gel 법, two-phase method, Solution Synthesis, Evaporation, 전구체 환원, 액상반응 | 금속 및 무기 산화물 | Gold | 표면 플라즈몬 공명현상에 기인하여 뛰어난 흡광효과를 지님 | 대표입자크기 : 1∼20nm금: 1~150nm | 구형/입자 막대형/입자, 정육각형/입자 | - | 합성/흡착, sol-gel | Anti-Human IgG, Citrate, Citosan, CTAB, CTAC, 실리카, 은 | 20191217 |
40 | 500um | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 산화막 식각속도 증가, 촉매, 변색 반전 방지 | TEM, SEM, ICP, AAN, 비중계 등 | Baking+Crushing 등 | 금속 및 무기 산화물 | CeO₂ | 산화막과 강한 화학결합을 함, 약한 agglomerates 형성 | 대표입자크기 : 2∼11nm산화세슘 10~350nm | 구형/입자 | - | - | - | 20191217 |
41 | 10nm~수um 분포 | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 살균, 항균(Antibacretial, Antifungal), 항바이러스성, 표면 플라스몬 공명(Surface Plasmon Resonance), 소염성(antiinflammato | TEM, SEM, DLS, 입도분석기, OM, BET | 화학적 합성법(기상법, 액상법-AgNO3이용), 전기화학법, 광환원법(UV이용), 생체합성법(박테리아, 곰팡이 이용) | 금속 및 무기 산화물 | Silver | 은나노 농도에 따른 응집특성 | 5.8nm~수백nm 까지 다양하게 분포(직경 : 1~100nm 까지 다양하게 분포) | 구형/입자 | 없음 | 표면 capping, mixing, 합성 | fatty acid, 극성용매, citrate, 계면활성제 | 20191217 |
42 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 경도향상, 메모리소자 누설전류감소극복, 내마모, 내수성능 증강 | SEM, TEM, AFM, SEM, 입도분석기, BET, XRD | 베이어법, hydrothermal synthesis, 양극 산화, sol-gel 합성, Sputtering, Chemical Precipitation | 금속 및 무기 산화물 | Al₂O₃ | 약한 agglomerates 형성으로 마이크론 크기 형성 | 대표입자크기 : 20∼80nm13nm~170nm | 구형/입자, 판, 선형 | 계면활성제, 황산, 질산 등 | - | pyrogenic metal oxide | 20191217 |
43 | 수십nm~ 수백um | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 경량화, 전기적특성(금속성과 반도체성 모두 지님. 20~30nm 이상의 직경을 갖는 CNT에서는 벡터지수에 상관없이 금속성을 지님), 기계적특성(graphene sheet의 평면상 | TEM, SEM, BET | 화학기상증착(CVD), 아크방전법, 촉매기상합성법, 볼밀법, Sol-gel, HIPCO, CCVD, Acid treatment | 탄소계 | SWCNTs | 흑연판이 말리는 각도에 따라 금속성과 반도체성을 가짐, 전기전도도와 열전도율이 높음 | SWCNT : 1~60nm직경 : 0.7∼10.0nm | 구형/튜브 | 계면활성제, 황산, 질산 등 | 초음파처리, 액상반응공정 | 황산, 고분자 등 | 20191217 |
44 | 10nm~3um 분포 | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 반발 성능 향상, 경령화, 강도 향상, 전기특성의 부여 등, 활성산소 및 라디칼 제거 등 | TEM | 고온, 고압 합성, CVD, 아크법 | 탄소계 | Fullerenes(C60) | 특수한 분자성 결정으로서 1차 응집을 형성하고, 1차 응집체가 추가로 응집하여 2차원 또는 3차원 응집체(엉김체)를 형성 | 제품제조시 평균입경 : 수백 nm~수㎛1~10nm | 구형 | - | - | - | 20191217 |
45 | 수십nm~수백um 분포 | 0 | - | TEM, SEM, ASD, DLS, 입도분석기, 질소흡착, BET, ASTM | Gas Black Process, Furnace Black Process, sol-gel 후 탄화법, 중질유 열분해, 연소법, 연속열분해법 | 탄소계 | Carbon black | - | 카본블랙:수nm~수백nm | 구형/입자, 다각형/입자 | - | - | oxidized Gas Black | 20191217 |
46 | 수십nm~ 수백um | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 경량화, 전기적특성(금속성과 반도체성 모두 지님. 20~30nm 이상의 직경을 갖는 CNT에서는 벡터지수에 상관없이 금속성을 지님), 기계적특성(graphene sheet의 평면상 | TEM, SEM, BET | 화학기상증착(CVD), 아크방전법, 촉매기상합성법, 볼밀법, Sol-gel, HIPCO, CCVD, Acid treatment, 레이저증착법 | 탄소계 | MWCNTs | 흑연판이 말리는 각도에 따라 금속성과 반도체성을 가짐, 전기전도도와 열전도율이 높음 | MWCNT : 7~60nm직경 : 5∼100nm | 구형/튜브 | 계면활성제, 황산, 질산 등 | 초음파처리, 액상반응공정 | 황산, 고분자 등 | 20191217 |
47 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 기타 | Etc. | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20191217 |
Most frequently occurring
응집엉김 | 기타정보 | 주요기능 | 측정장비 | 제조방법 | 물질(그룹)분류 | 물질(군)분류 | 물성 | 입자크기 | 모양/형태 | 취급제품표면처리 | 표면개질방법 | 표면개질물질 | 생성날짜 | # duplicates | |
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0 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 물질 전달; 분산능력 | - | - | 고분자 | Dendrimers | 중심주위에 나뭇가지형이 덴드론이 둘러싼 구형 고분자, 일정분자량을 가지고 있음 | 대표입자크기 : 1∼100nm (PAMAM 덴드리머의 경우 1세대당 1nm 씩 증가한다.)나노점토: 1~200nm(2~13um) | - | 최외각에 다양한 기능기 변경 가능 | - | - | 20191217 | 3 |
1 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 안정성, 항균성 등 | AFM, SEM, TEM, XRD | sol-gel 법, two-phase method, Solution Synthesis, Evaporation, 전구체 환원, 액상반응 | 금속 및 무기 산화물 | Gold | 표면 플라즈몬 공명현상에 기인하여 뛰어난 흡광효과를 지님 | 대표입자크기 : 1∼20nm금: 1~150nm | 구형/입자 막대형/입자, 정육각형/입자 | - | 합성/흡착, sol-gel | Anti-Human IgG, Citrate, Citosan, CTAB, CTAC, 실리카, 은 | 20191217 | 3 |
2 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 경도, 강도증가, 내열(한)성, 방화성부여, 분산성, 기체차단성 부여 등 | XRD, SEM, TEM, AFM | - | 고분자 | Nanoclays | 층상구조 | 대표입자크기 : 10∼80nm나노점토 : 1~200nm(1~13um) | 다면체, 막대형/판, 육각형/판상, 원형/입자 | - | 코어쉘코팅 | NA+, 에폭시 실란 | 20191217 | 3 |
3 | - | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 경도향상, 메모리소자 누설전류감소극복, 내마모, 내수성능 증강 | SEM, TEM, AFM, SEM, 입도분석기, BET, XRD | 베이어법, hydrothermal synthesis, 양극 산화, sol-gel 합성, Sputtering, Chemical Precipitation | 금속 및 무기 산화물 | Al₂O₃ | 약한 agglomerates 형성으로 마이크론 크기 형성 | 대표입자크기 : 20∼80nm13nm~170nm | 구형/입자, 판, 선형 | 계면활성제, 황산, 질산 등 | - | pyrogenic metal oxide | 20191217 | 3 |
4 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 고분자 | Polystyrene | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20191217 | 3 |
5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 기타 | Etc. | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20191217 | 3 |
6 | 10 um | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 강도 향상, 경량화, 금속성, 반도체성 부여, 촉매 | TEM, SEM, BET | 스퍼터링, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 공침법/sol-gel/stober, 화학기상증착(CVD), ball-milling, 초음파 | 금속 및 무기 산화물 | Iron | 약한 agglomerates 형성으로 마이크론 크기 형성 | 대표입자크기 10∼100nm2nm~200nm | 구형/입자 , 선형/파이버 | 계면활성제 | coating , 스퍼터링 , 화학흡착 | Biotin ; silica ; Pt, Ta Pd ; 계면활성제 | 20191217 | 3 |
7 | 10nm~3um 분포 | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 반발 성능 향상, 경령화, 강도 향상, 전기특성의 부여 등, 활성산소 및 라디칼 제거 등 | TEM | 고온, 고압 합성, CVD, 아크법 | 탄소계 | Fullerenes(C60) | 특수한 분자성 결정으로서 1차 응집을 형성하고, 1차 응집체가 추가로 응집하여 2차원 또는 3차원 응집체(엉김체)를 형성 | 제품제조시 평균입경 : 수백 nm~수㎛1~10nm | 구형 | - | - | - | 20191217 | 3 |
8 | 10nm~수um 분포 | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당하며, 대한민국은 나노물질 OECD Sponsorship | 살균, 항균(Antibacretial, Antifungal), 항바이러스성, 표면 플라스몬 공명(Surface Plasmon Resonance), 소염성(antiinflammato | TEM, SEM, DLS, 입도분석기, OM, BET | 화학적 합성법(기상법, 액상법-AgNO3이용), 전기화학법, 광환원법(UV이용), 생체합성법(박테리아, 곰팡이 이용) | 금속 및 무기 산화물 | Silver | 은나노 농도에 따른 응집특성 | 5.8nm~수백nm 까지 다양하게 분포(직경 : 1~100nm 까지 다양하게 분포) | 구형/입자 | 없음 | 표면 capping, mixing, 합성 | fatty acid, 극성용매, citrate, 계면활성제 | 20191217 | 3 |
9 | 250nm~10um | 이 물질군은 나노물질 OECD Sponsorship programm의 제조나노물질작업반(WPMN) 관리 대상 물질군에 해당함 | 전기 전도성(전기적, 광학적 응용), 전계방출특성, 발광성, 압전특성 | TEM, SEM, DLS | 습식법, 저온소성법, 수열합성, 분자선 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저 증착법(PLD: Pulsed Laser Deposition), so | 금속 및 무기 산화물 | ZnO | 6방정계 부르자이트 결정, 높은전도성, 자외선영역 발광특성 | 5nm~수백nm 까지 다양하게 분포(직경 : 50nm 이상) | 다면체, 구형/입자, 선형/파이버 | Thiol, Silane, 지방산 등 | Lipid 첨가, 표면 capping | 실란, Hydrogen dimethicone, Triethoxy caprylylsilane, Lipid alkyl acid | 20191217 | 3 |